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오늘은 차세대 전력반도체 (신소재 전력반도체) 기술개발 및 생산 역량 확충 방안 발표에 관한 간략한 내용입니다. 참조만 부탁드립니다. 정부는 차세대 전력반도체 기술개발 및 생산 역량 확충 방안을 발표했답니다. 반도체 재질로는 실리콘이 오랜 기간,현재까지도 사용되고 있습니다. 환경의 변화에 따라 좀 더 강력한 반도체 재료의 필요가 있는 상황으로 변해가고 있습니다. 즉, 전기자동차(전기차)같은 경우는 기존 실리콘 재질 반도체로는 온도에 약해서 사용하기 어려운 환경입니다. 일반적인 실리콘 재질의 전력용 반도체는 고속 스위칭(High Frequency Switching)을 하면, 제품크기(Size)를 줄일 수 있는데, 줄인 만큼 열이 발생하여, 효율이 많이 떨어져서 상용화가 어려웠습니다. 그러나, 요즘은 반도체..

오늘은 제품 리뷰 중 UM2의 USB PPS(Programmable Power Supply) PD(Power Delivery) C Type(C 타입) 초고속 멀티 충전기 신제품 miniGAN65W3에 대한 고찰을 해 보겠습니다. 아래와 같이 간략히 요약합니다. GaN 질화갈륨재질의 HEMT 부품을 사용한, 65 Watts급, PPS기능 탑재한 미니 사이즈의 고급형 충전기 제품입니다. GaN(Gallium Nitride, 질화갈륨) 재질의, HEMT(High Electron Mobility Transistor, 고전자 이동 트랜지스터) 반도체는 높은 온도, 높은 주파수에 강하여, 내부 사이즈를 줄일 수 있으며, 보통 파워 효율이 보통 90% 이상으로 상당히 높습니다. 사실 GaN재질 반도체는 높은 온도에 ..

AC (교류 전압, 110 VAC, 220 VAC, 일반적으로 단상을 말합니다.)를 DC (직류 전압, +5 Vdc, +12 Vdc 등 여러 종류가 있습니다)로 변환하는 기기를 ACDC 컨버터(ACDC Converter)라고 합니다. 동작원리를 말로 표현하지면 대략 이러합니다. ​ 1. AC를 브리지다이오드로 직류로 변한후, 2. 1차측 트랜스포머 권선을 이용해서 PWM IC로 반도체를 스위칭을 합니다. 3. 그렇게되면 2차측 트랜스포머의 권선비로 유도전압, 전류, 즉 전력이 넘어올것이고, 4. TL431이라는 Shunt Regulator을 이용해서 이 출력측을 제어해서 출력전압을 정전압 출력으로 만들어냅니다. 5. 이후에, 이 출력전압을 1차측 회로에 Photo Colupler를 이용해서 1차회로의 P..

트랜지스터(Transistor, Tr)는 N형 반도체와 P형 반도체를 PNP / NPN 형태로 접합한 구조의 반도체입니다. Tr을 구성하는 반도체에 정공과 전자에 의해 Base에 전류 또는 Gate에 전압을 제어에 의해 도통되어 전류가 흐르는 원리로 동작합니다. 재질의 종류로서는 아래와 같습니다. 1세대로서 Bipolar Transistor는 NPN, PNP가 있으며, 전류를 제어해서 도통시키는 소자입니다. 2세대로서 Unipolar Transistor는 보통은 FET(Field Effect Transistor)를 가리키며, 전압을 제어해서 도통시키는 소자입니다. 종류는 J(Junction) FET, MOSFET, GaAsFET로 구분했지만, 요즘은 기술의 발전으로 새로운 물질로 구성된 반도체가 있습니다..